什么是igbt的擎住效应(什么是igbt)

导读大家好,小苏来为大家解答以上问题。什么是igbt的擎住效应,什么是igbt很多人还不知道,现在让我们一起来看看吧!1、IGBT是绝缘栅双极晶体

大家好,小苏来为大家解答以上问题。什么是igbt的擎住效应,什么是igbt很多人还不知道,现在让我们一起来看看吧!

1、IGBT是绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor)的缩写。IGBT是由MOSFET和双极晶体管组成的器件。它的输入是MOSFET,输出是PNP晶体管。它结合了这两种器件的优点,既有MOSFET器件驱动功率低、开关速度快的优点,又有双极器件饱和电压低、容量大的优点。其频率特性介于MOSFET和功率晶体管之间,可以在几十kHz的频率范围内正常工作。它在现代电力电子技术中得到了广泛的应用,并在高频和中功率应用中占据主导地位。

2、IGBT(绝缘栅双极晶体管)模块参数:集电极-发射极间电压(符号:VCES):栅极-发射极短路时集电极-发射极间的最大电压。

3、IGBT(绝缘栅双极晶体管)模块参数:栅发射极间电压(符号:VGES):集电极发射极短路时栅发射极间的最大电压。

4、IGBT(绝缘栅双极晶体管)模块参数:集电极电流(符号:IC):集电极允许的最大DC电流。

5、IGBT(绝缘栅双极晶体管)模块参数:耗散功率(符号:PC):单个IGBT允许的最大耗散功率。

6、IGBT(绝缘栅双极晶体管)模块参数:结温(符号:Tj):元器件连续工作时的芯片温度。

7、IGBT(绝缘栅双极晶体管)模块参数:关断电流(符号:ICES):由于栅极和发射极之间短路,在集电极和发射极之间施加规定电压时的集电极电流。

8、IGBT(绝缘栅双极晶体管)模块参数:漏电流(符号:IGES):集电极和发射极短路,在栅极和集电极之间施加规定电压时的栅极漏电流。

9、IGBT(绝缘栅双极晶体管)模块参数:饱和压降(符号:V CE(sat)):在规定的集电极电流和栅极电压下集电极和发射极之间的电压。

10、IGBT(绝缘栅双极晶体管)模块参数:输入电容(符号:Clss):交流短路状态下,在栅极和发射极之间、集电极和发射极之间施加规定电压时,栅极和发射极之间的电容。

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